技術(shù)編號(hào)：2754601
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用在EUV光刻(極紫外光刻)中的掩模版(maskblank)及用于其制作的方法。背景技術(shù) 在微電子學(xué)中為了不斷獲取更高的集成密度，必需使用越來越短的波長(zhǎng)用于曝光?？梢灶A(yù)見未來將使用僅僅13納米或更短的波長(zhǎng)來制作小于35納米的結(jié)構(gòu)。由于這個(gè)原因，用于光刻曝光的掩模的制造是非常重要。掩模必須實(shí)質(zhì)上無缺陷，因?yàn)榉駝t掩模中最輕微的誤差將被復(fù)制在每一塊芯片上。盡可能最大程度地排除可能導(dǎo)致掩模的污染的所有來源。這需要非常精確的技術(shù)用于掩模版的制作以及非常...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。