技術(shù)編號：2754311
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種光刻機的最佳焦距的確定方法。 背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路制造工藝中，通過光刻工藝將掩膜板上的版案轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底的光刻膠層中，在光刻膠層中形成光刻膠圖案，然后以光刻膠圖案作為掩膜層，對半導(dǎo)體襯底執(zhí)行后續(xù)的刻蝕或離子注入工藝。光刻機焦距在一定范圍內(nèi)變化，在不同焦距下光刻機的曝光效果不同，而將光刻機曝光效果較好時對應(yīng)的焦距稱為最佳焦距。光刻機的最佳焦距對于光刻工藝極其重要， 它是決定光刻膠圖案的尺寸及立體物理形貌的主要因素，會...
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