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用于雙層光刻的低硅排氣抗蝕劑的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2752454

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背景技術(shù)在微電子工業(yè)和包括微型結(jié)構(gòu)制造的其他工業(yè)(如,微型機(jī)械,磁頭等)中,一直要求不斷縮小結(jié)構(gòu)形狀的尺寸。在微電子工業(yè)中,這種要求則體現(xiàn)為縮小微電子設(shè)備的尺寸,和/或在一定尺寸的芯片上提供更多的電路。有效的光刻技術(shù)是達(dá)到縮小形狀尺寸要求的關(guān)鍵。光刻對(duì)微型結(jié)構(gòu)制造的影響不僅是在所需襯底上直接形成圖形,而且還可以制作一般在這種成像中使用的掩模。一般的光刻過程包括,通過在成像輻射下以圖形方式暴露輻射敏感的抗蝕劑而形成具有圖形的抗蝕層。隨后,圖像通過將暴露的抗蝕...
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