技術(shù)編號：2745463
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種通過在光致抗蝕劑涂布工藝和曝光工藝之后在基材表面上供給顯影液以進行顯影工藝的噴嘴，以及使用所述噴嘴處理基材的設(shè)備和方法。背景技術(shù)通常，在制作半導體器件時，通過以下步驟形成電路圖案在作為目標基材的半導體晶片上涂布光致抗蝕劑，進行曝光工藝將掩模圖案轉(zhuǎn)移到光致抗蝕劑，以及使光致抗蝕劑顯影。 當使光致抗蝕劑顯影時，通常使用所謂的坑洼(puddle)法，其中從噴嘴將顯影液連續(xù)供應到基材，并且顯影液僅在形成圖案的表面上聚集預定時間，從而使光致抗蝕劑層的圖...
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