技術(shù)編號：2744782
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光刻曝光技術(shù)，具體涉及一種用于確定曝光條件的量測結(jié)構(gòu)， 屬于半導(dǎo)體。背景技術(shù)在半導(dǎo)體芯片及器件的制造過程中，通常會在晶圓表面的切割道內(nèi)設(shè)置包含量測 圖形的量測結(jié)構(gòu)用以確定整片晶圓的光刻曝光條件?，F(xiàn)有技術(shù)中，在進行光刻時，可通過只 測量位于切割道內(nèi)的量測圖形來定義整片晶圓的最佳曝光條件，以及判斷其工藝窗口?，F(xiàn) 有技術(shù)這種只測量位于切割道內(nèi)的量測圖形就能定義整片晶圓曝光條件的方法，對于晶圓 表面的平坦度要求非常高，只有當(dāng)晶圓表面具有良好的平坦度...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。