技術(shù)編號(hào):2743796
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種蝕刻方法,且特別涉及一種以擴(kuò)散控制材料進(jìn)行濕式蝕 刻的方法。背景技術(shù)為了制造集成電路,半導(dǎo)體工藝中是以光學(xué)光刻工藝來(lái)圖案化各種材料層。光學(xué)光刻工藝包含光致抗蝕劑(phototresist; resist)涂布、曝光及顯影 (developing)。目前,當(dāng)在含有材料層(例如金屬薄膜)的晶片基材上形 成光致抗蝕劑圖案時(shí),基材可能會(huì)遭到濕式化學(xué)品蝕刻,因而需于隨后作額 外的潤(rùn)洗。然而,現(xiàn)有的濕式化學(xué)蝕刻劑具有下列各種問(wèn)題。濕式化學(xué)蝕刻不具有 良好...
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