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監(jiān)測(cè)曝光機(jī)臺(tái)焦平面變化的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2741432

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造的光刻,特別涉及一種。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制程技術(shù)中,光刻技術(shù)隨著關(guān)鍵尺寸技術(shù)的提高,而變得越來(lái)越重要。曝光機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定程度受到很多方面的影響,如曝光機(jī)臺(tái)上的晶圓平臺(tái)或者透鏡的 偏移、晶圓表面的平坦化程度、激光波長(zhǎng)的變化以及環(huán)境等方面的影響,都會(huì)導(dǎo)致曝光機(jī)臺(tái) 的焦平面(焦距)發(fā)生變化,即曝光機(jī)臺(tái)的真實(shí)焦距值與最初的設(shè)定值不同,這樣會(huì)使曝光 的晶圓的尺寸和輪廓與預(yù)設(shè)值不同。為了及時(shí)對(duì)曝光機(jī)臺(tái)焦平面的變化作出糾正,則需要監(jiān)測(cè)曝光機(jī)臺(tái)焦平面的變 化...
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