技術(shù)編號(hào):2741432
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造的光刻,特別涉及一種。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制程技術(shù)中,光刻技術(shù)隨著關(guān)鍵尺寸技術(shù)的提高,而變得越來(lái)越重要。曝光機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定程度受到很多方面的影響,如曝光機(jī)臺(tái)上的晶圓平臺(tái)或者透鏡的 偏移、晶圓表面的平坦化程度、激光波長(zhǎng)的變化以及環(huán)境等方面的影響,都會(huì)導(dǎo)致曝光機(jī)臺(tái) 的焦平面(焦距)發(fā)生變化,即曝光機(jī)臺(tái)的真實(shí)焦距值與最初的設(shè)定值不同,這樣會(huì)使曝光 的晶圓的尺寸和輪廓與預(yù)設(shè)值不同。為了及時(shí)對(duì)曝光機(jī)臺(tái)焦平面的變化作出糾正,則需要監(jiān)測(cè)曝光機(jī)臺(tái)焦平面的變 化...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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- 楊老師:物理電子學(xué)