技術編號：2740482
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體曝光裝置，特別是涉及一種包含有曝光后烘烤設 備的。背景技術光刻工藝是使用光掩模(photomask)或掩模(mask)來圖形化(pattern) 襯底，例如半導體晶片。產生集成電路(ICs)的圖形的特征尺寸和間距的不斷 縮減，及/或圖形密度的不斷增加，這樣持續(xù)發(fā)展的結果是，各種光源和光刻 膠材料已陸續(xù)地被采用。例如在納米尺寸光刻工藝和集成電路制造中，化 學放大光刻膠(Chemical Amplified Photoresist; CAR...
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