技術(shù)編號：2737976
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種光學(xué)系統(tǒng)，尤其是一種用于半導(dǎo)體光刻(semiconductor Uthography)的投射曝光設(shè)備，包括用于減小像差(image aberration)的可 操縱的校正布置。背景技術(shù)在諸如用于半導(dǎo)體光刻的投射曝光設(shè)備的光學(xué)系統(tǒng)的組合中，例如被用 于曝光的電-茲輻射在例如透鏡或反射鏡這樣所使用的光學(xué)元件中還被作為 不期望的現(xiàn)象被吸收，以及按期望被折射或反射。該過程中吸收的能量導(dǎo)致 光學(xué)元件總體不均勻加熱。由于溫度引起折射率、膨脹和機(jī)械應(yīng)力的變...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。