技術編號：2737836
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路制造，尤其涉及用于增大使用光刻技術定 義的特征空間的密度的技術。背景技術為了在集成電路制造中獲得較高的器件密度，要求光刻處理印 刷越來越小的特征尺寸及特征之間的間距。在本領域中已知幾種用以 將光刻處理的范圍延伸到越來越小特征尺寸和間距的方法。一種方法是將用于對所使用的光致抗蝕劑進行曝光及形成圖案的輻射波長降低到深紫外(DUV)、遠紫夕卜(FUV)或極紫外(EUV) 范圍?？梢哉J為，DUV光譜指的是300nm以下的波長，F(xiàn)UV光譜指的 是2...
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