技術(shù)編號：2736791
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基于Abbe (阿貝)矢量成像模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正的優(yōu)化方法，屬于光刻分辨率增強(qiáng)。背景技術(shù)當(dāng)前的大規(guī)模集成電路普遍采用光刻系統(tǒng)進(jìn)行制造。光刻系統(tǒng)主要分為照明系統(tǒng)(包括光源和聚光鏡)、掩膜、投影系統(tǒng)及晶片等四部分。光源發(fā)出的光線經(jīng)過聚光鏡聚焦后入射至掩膜，掩膜的開口部分透光；經(jīng)過掩膜后，光線經(jīng)由投影系統(tǒng)入射至涂有光刻膠的晶片上，這樣掩膜圖形就復(fù)制在晶片上。目前主流的光刻系統(tǒng)是193nm的ArF深度紫外光刻系統(tǒng)，隨著光刻技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入 45nm-...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。