技術(shù)編號：2736269
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體集成電路的制造中使用的光掩模的修正方法，特別是涉及向光掩模的缺陷部位照射聚焦離子束(focused ion beamFIB)進(jìn)行缺陷修復(fù)的光掩模的修正方法。背景技術(shù) 在使用聚焦離子束的光掩模的缺陷修正的情況下，為了總體地修正因充電而產(chǎn)生的信息漂移或因掩模或者掩模保持器的熱膨脹而產(chǎn)生的漂移，使用單點漂移修正(one point drift correction)。在該單點漂移修正的情況下，采用在光掩模的圖形內(nèi)形成針孔，以該針孔為參照點使離子...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。