技術編號：2731227
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及使用電子射線、遠紫外線(EUV光)進行半導體裝置 的超微細加工中采用的負型抗蝕劑組合物、用于上述負型抗蝕劑組合 物的圖案形成用基材、及使用上述負型抗蝕劑組合物制造的半導體裝 置的圖案形成方法。背景技術迄今為止，在半導體裝置的制造過程中，利用使用光致抗蝕劑的光刻法進行;微細加工。近年，隨著電^^的高集成化，正在進行ioo納米以下的微細圖案形成。曝光波長從KrF準分子激光(波長為248nm) 短波化為ArF準分子激光(波長為193nm)，并且使ArF...
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