技術(shù)編號：2728866
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及可用于例如薄膜晶體管(TFT)元件等半導體裝置用布圖的形成過程中的抗蝕劑再流平(reflow)方法，和使用該再流平方法的布圖形成方法以及液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法。背景技術(shù) 近年來，半導體裝置正向著高集成化與微細化方向發(fā)展。但是，隨著高集成化、微細化的發(fā)展，半導體裝置的制造工藝趨于復雜，制造成本增加。因此，人們一直在研究可大幅度地降低制造成本，統(tǒng)合用于光刻法的掩模布圖形成工序，縮短整體的工序數(shù)的技術(shù)方案。就削減掩模布圖的形成工序數(shù)的技術(shù)而...
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