技術(shù)編號(hào):2727868
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種光開(kāi)關(guān)列陣,特別是一種光波導(dǎo)集成光開(kāi)關(guān)列陣。光開(kāi)關(guān)列陣可以分為機(jī)械式光開(kāi)關(guān)列陣和波導(dǎo)式光開(kāi)關(guān)列陣。波導(dǎo)式光開(kāi)關(guān)列陣根據(jù)其結(jié)構(gòu)原理可分為干涉型和內(nèi)全反射型兩種。常見(jiàn)的波導(dǎo)式內(nèi)全反射型光開(kāi)關(guān)列陣是光遇到低折射率區(qū)即反射區(qū)產(chǎn)生全反射而發(fā)生偏轉(zhuǎn),實(shí)現(xiàn)從一個(gè)光波導(dǎo)向另一個(gè)光波導(dǎo)轉(zhuǎn)移。目前,根據(jù)上述情況制成的光波導(dǎo)集成光開(kāi)關(guān)列陣,是由2組相交的光波導(dǎo)及其交叉點(diǎn)處的可控反射區(qū)構(gòu)成。這種光波導(dǎo)集成光開(kāi)關(guān)列陣存在下述不足之處1.光開(kāi)關(guān)單元分布不均勻,集中在晶片...
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