技術(shù)編號：2701099
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種，包括提供樣品；將所述樣品進行去層處理至多晶硅層上的層間介質(zhì)層；對所述樣品的表面進行清潔處理；利用電勢對比定位法對所述樣品進行多晶硅層的失效點定位。本發(fā)明由于保留了一定厚度的多晶硅層上的層間介質(zhì)層，所以避免了對多晶硅層的損傷；由于采用了超聲波震蕩方法在離子水中對樣品表面進行清潔，所以避免了清潔過程中對樣品表面的損傷；由于采用了較大的一次電子束的加速電壓進行電勢對比觀測，所以能夠快速的定位多晶硅層的失效點。本發(fā)明的方法適用于大尺寸多晶硅陣列的...
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