技術(shù)編號(hào)：2700624
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種極紫外光刻(EUVL)工藝。該工藝包括接收具有多種狀態(tài)的極紫外(EUV)掩膜。主多邊形和鄰近第一主多邊形分配為不同的狀態(tài)。所有子分辨率輔多邊形分配為相同的狀態(tài)，分配給子分辨率輔多邊形的狀態(tài)不同于分配給區(qū)域(即不具有主多邊形和子分辨率輔多邊形的布景)的狀態(tài)。采用部分相干性б小于0.3的近似軸上照明(ONI)，以露出EUV掩膜，從而產(chǎn)生衍射光和非衍射光。去除大部分的非衍射光。使用投影光學(xué)箱收集和引導(dǎo)衍射光和沒有被去除的非衍射光，從而露出目標(biāo)。專...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。