技術(shù)編號：2696164
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種，包括提供待圖形化基片；對待圖形化基片進(jìn)行第一次曝光；對經(jīng)過第一次曝光后的待圖形化基片進(jìn)行再曝光，所述再曝光具體操作為同時對掩膜版和基片轉(zhuǎn)動同樣的角度，然后進(jìn)行曝光。本發(fā)明采用轉(zhuǎn)換角度進(jìn)行多次曝光的方式來消除EUV技術(shù)中的陰影效應(yīng)，減小曝光中出現(xiàn)的圖形的偏差，增加曝光精度。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，尤其涉及極紫外線光刻技術(shù)中的。背景技術(shù)[0002]當(dāng)前，整個半導(dǎo)體工業(yè)正在逼近光學(xué)光刻制程的物理極限，在沒有套用特別設(shè)計的光學(xué)光刻制程...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。