技術(shù)編號(hào):2690522
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種耦合器的制作方法,尤其涉及。背景技術(shù)光子晶體又被稱為光半導(dǎo)體,是由具有不同介電常數(shù)的物質(zhì),在空間周期性排列而形成的人工微結(jié)構(gòu)。光子晶體具備光子禁帶,具有控制光在其內(nèi)傳播的特性,是實(shí)現(xiàn)未來大規(guī)模光電集成以及全光網(wǎng)絡(luò)的潛在應(yīng)用材料。在完整的光子晶體材料中引入缺陷時(shí),則會(huì)在光子禁帶中引入缺陷態(tài)。例如,引入點(diǎn)缺陷則可以將光局域在缺陷內(nèi),從而形成光子晶體諧振腔;而如果引入線缺陷,則可以將光限制于線缺陷內(nèi)傳播,形成光子晶體波導(dǎo)。近年來,基于光子晶體材料的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。