技術(shù)編號：2689304
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù)a-Si (非晶硅材料)可作為薄膜太陽能材料，可與現(xiàn)有面板技術(shù)整合在一起，薄膜太陽能電池的架構(gòu)為p+ ia-Si n型之組成，TFT之結(jié)構(gòu)則為ia_Si n型之組成。薄膜太陽能為將具有光伏效應(yīng)的非結(jié)晶狀態(tài)的硅以薄膜形式鍍制在玻璃基板上進行光電轉(zhuǎn)換，形成p-i-n結(jié)構(gòu)，圖I所示為薄膜太陽能太陽電池結(jié)構(gòu)示意圖，圖I從上之下依序為位于頂層的第一 ITO l、n型a-Si 2、i型a_Si 3、p型a_Si 4、以及第二 ITO 5。通過以...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。