技術(shù)編號：2688728
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于半導(dǎo)體工藝，特別關(guān)于一種進(jìn)行濕浸式光刻的方法、濕浸式光刻系統(tǒng)、及裝置。背景技術(shù) 濕浸式光刻(immersion lithography)通常包括在半導(dǎo)體晶片上表面(例如，薄膜疊層)涂布光致刻蝕劑涂層、以及之后對該光致刻蝕劑曝光以得到圖案。在曝光期間，可以使用去離子水填滿曝光鏡頭(exposure lens)與光致刻蝕劑表面之間的空間，以增加聚焦景深(depth of focus；DOF)的適用范圍。之后，可以進(jìn)行一個或多個曝光后烘烤和/或其它工藝...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。