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在氣體環(huán)境中執(zhí)行曝光處理的基片處理系統(tǒng)的制作方法技術資料下載

技術編號:2688722

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本發(fā)明一般涉及基片處理系統(tǒng),其使用各種氣體環(huán)境在用來形成半導體元件的基片上執(zhí)行氣體曝光過程或處理。具體地,本發(fā)明涉及基片處理系統(tǒng),其中,在通過蒸發(fā)有機溶劑溶液獲得的氣體環(huán)境中對在基片表面上形成有機薄膜執(zhí)行曝光處理,以便溶解和回流有機薄膜。背景技術 日本公開專利申請11-74261公開了一種常規(guī)半導體處理系統(tǒng),其在用來形成半導體元件的基片上執(zhí)行各種處理。此公開文本中公開的系統(tǒng)是一種通過使用有機材料制成的涂層薄膜來平坦在其上形成半導體元件的表面的裝置。通過使用...
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