技術(shù)編號(hào)：2683015
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的光刻領(lǐng)域，尤其涉及一種。背景技術(shù)在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中，光刻工藝有著舉足輕重的地位。在進(jìn)行離子注入或刻蝕之前，需要通過光刻工藝形成光刻膠圖案，以預(yù)先定義出待刻蝕或離子注入的區(qū)域。因而，光刻工藝水平的高低、質(zhì)量的好壞會(huì)直接影響刻蝕或離子注入的結(jié)果，并最終會(huì)影響形成的半導(dǎo)體器件的電性和良率。在光刻工藝過程中，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷提高，圖形尺寸的不斷縮小，顯影缺陷的影響也越來越大，顯影缺陷是造成產(chǎn)品成品率損失的主要原因。比較各顯影缺陷中，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。