技術(shù)編號：2676199
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是一種一般波長或長波長光接觸接近納米光刻光學(xué)裝置，屬于微細(xì)加工技術(shù)制作納米器件的接觸接近光刻曝光。背景技術(shù) 由于全球通訊技術(shù)和高科技信息技術(shù)高速發(fā)展，迫切需要微細(xì)加工技術(shù)制作出超高速、超高頻納米量級IC器件，而制作納米圖形結(jié)構(gòu)需要大幅度提高現(xiàn)有光刻技術(shù)的分辨率。因?yàn)檠苌錁O限的限制，一般對于掩模圖形孔尺寸遠(yuǎn)小于波長的納米級孔和縫圖形時，光不能穿過，也就無法進(jìn)行光刻制作納米圖形。所以都采用縮短波長光刻制作的方法，主要有深紫外、極紫外、X射線、離子束投影、...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。