技術編號：2674406
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造工業(yè)中的光刻制程，尤其涉及對制備掩膜過程中的光學鄰近修正(Optical Proximity Correction, 0PC)方法。背景技術集成電路制造技術是一個復雜的工藝，每隔18到24個月就會更新?lián)Q代。表征集成電路制造技術的一個關鍵參數(shù)最小特征尺寸即關鍵尺寸(Critical Dimension),從最初的125um發(fā)展到現(xiàn)在的0.13um甚至更小，這使得每個芯片上幾百萬個元器件成為可能。光刻技術是集成電路制造工藝發(fā)展的驅動力，也是...
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