技術(shù)編號：2613770
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)說明書以往，已知薄膜晶體管中的溝道部分，源極部分以及漏極部分用同一種半導(dǎo)體形成，用無定形硅薄膜和多晶硅薄膜形成了這些部分的無定型硅薄膜晶體管(a-SiTFT)或者多晶硅薄膜晶體管(p-SiTFT)。另外，近年來，由多晶硅鍺薄膜形成了溝道部分、源極部分以及漏極部分的多晶硅鍺薄膜晶體管(p-SiGeTFT)已在日本國特開平6-61489，日本國特開平6-120499號公報中提出。另外，以往在液晶顯示裝置或者電致發(fā)光型顯示裝置(以下也簡稱EL型顯示裝置)等顯...
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