技術(shù)編號：2612806
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，尤其涉及一種用于防止由于意外地施加于基板的電壓、靜電和外力而引起薄膜晶體管損壞的。背景技術(shù) 通常，為了在通過利用不銹鋼(SUS)或鈦(Ti)組成的導(dǎo)電基板形成的導(dǎo)電薄膜上實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管，在導(dǎo)電薄膜和薄膜晶體管之間需要一緩沖層作為絕緣層。因此，形成在包括緩沖層的導(dǎo)電薄膜上的薄膜晶體管具有與絕緣體上硅(SOI)晶體管相同的電學(xué)和結(jié)構(gòu)特性。在具有緩沖層的薄膜晶體管中，形成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層可由低溫多晶硅(LTPS)制成，其中在低溫下加熱并結(jié)晶非...
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