技術編號:2595785
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及用于TFT LCD或有機電致發(fā)光顯示器(OELD)的結晶硅薄膜晶體管(TFT)板。更具體地說,本發(fā)明涉及用于TFT LCD或OELD的結晶TFT板,其中利用金屬誘發(fā)橫向晶化(MILC)方法,利用結晶硅同時形成位于TFT板的像素區(qū)上的像素晶體管和位于外圍區(qū)的驅動晶體管,而且滿足了像素區(qū)要求的晶體管的低截止電流(Ioff)特性和構成在外圍區(qū)中形成的驅動電路的晶體管的高導通電流(Ion)特性。背景技術存在的問題是,在350℃或者更低的處理溫度下,容易在...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。