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用于lcd或oeld的具有多柵極結構的結晶硅tft板的制作方法技術資料下載

技術編號:2595785

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本發(fā)明涉及用于TFT LCD或有機電致發(fā)光顯示器(OELD)的結晶硅薄膜晶體管(TFT)板。更具體地說,本發(fā)明涉及用于TFT LCD或OELD的結晶TFT板,其中利用金屬誘發(fā)橫向晶化(MILC)方法,利用結晶硅同時形成位于TFT板的像素區(qū)上的像素晶體管和位于外圍區(qū)的驅動晶體管,而且滿足了像素區(qū)要求的晶體管的低截止電流(Ioff)特性和構成在外圍區(qū)中形成的驅動電路的晶體管的高導通電流(Ion)特性。背景技術存在的問題是,在350℃或者更低的處理溫度下,容易在...
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