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有源矩陣顯示器件及其制作的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:2527990

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本發(fā)明涉及包括多晶硅薄膜晶體管的有源矩陣顯示器件及其制作。多晶硅(poly-Si)相對于非晶硅(a-Si)所具有的高載流子遷移率,使其成為一種引人注目的材料而用于諸如有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)及有源矩陣聚合物L(fēng)ED顯示器(AMPLED)等大面積電子器件。通常來講,例如用于薄膜晶體管(TFT)的多晶硅膜采用固相結(jié)晶(SPC)來制作。這涉及在絕緣襯底上沉積非晶硅膜,通過使其長時間暴露在高溫下使非晶硅膜結(jié)晶,這個過程的溫度通常超過600℃,時間可長達(dá)24小...
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