技術(shù)編號：2444800
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種微陣列結(jié)構(gòu)，其包括基底材料層、在所述基底材料層上的連續(xù)三維(3D)表面層和惰性材料，所述連續(xù)三維(3D)表面層能夠官能化以用作陣列，其中所述結(jié)構(gòu)包括尺寸為毫米至納米的精確限定且可官能化的分離的區(qū)域。所述可官能化的區(qū)域為所述連續(xù)3D表面層的一部分，并由所述惰性材料分離，并通過所述連續(xù)3D表面層在所述結(jié)構(gòu)內(nèi)互連。專利說明[0001]本發(fā)明涉及3D( “三維”)表面的開發(fā)，所述3D表面可被改性以形成分離的但互連的可官能化的區(qū)域的陣列，以用于多種陣列...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。