技術(shù)編號：2412408
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于無機(jī)納米材料，具體涉及ー種Ni基NiO納米片陣列薄膜電極及其制備方法。背景技術(shù)NiO由于其來源廣泛、環(huán)境友好、電化學(xué)性能優(yōu)良，在電催化和超級電容器等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。NiO電極按其存在形式可分為粉體電極和薄膜電極兩類。將NiO粉體材料制成電極常采用刮刀法，即將先期采用各種方法制得的NiO粉體材料與導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑均勻混合，進(jìn)行和漿處理，制成預(yù)成型件，然后再采用刮涂法將預(yù)成型件和集流基體(通常為泡沫Ni)進(jìn)行鍵合，再進(jìn)行壓制(常用壓カ為20MP...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。