技術(shù)編號(hào)：2011410
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種改善用線鋸裝置切割晶棒而成的硅晶片、或化合物半導(dǎo) 體晶片等的晶片表面的納米形貌的方法及線鋸裝置。背景技術(shù)舉例而言，在制造硅晶片時(shí)，是以線鋸裝置切割單晶硅晶棒(例如可參照日本特開平8-85053號(hào)公報(bào))。線鋸裝置是使鋼線(高張力鋼線)高速行 進(jìn)，在此處加上將GC (碳化硅)磨粒分散于液體而成的研磨液的同時(shí)，將 晶棒抵著而進(jìn)行切片(切割)的裝置。以往， 一般用于硅晶棒切片的裝置， 是對(duì)直徑0.14mm 0.18mm的鋼線施以2.5 3.0kgf的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。