技術(shù)編號(hào):2008441
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光電子材料、半導(dǎo)體材料與器件,具體地說(shuō),本發(fā)明涉及在硅片上復(fù)合In2O3箭狀納米結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料及其制備方法。背景技術(shù)In2O3是一種寬帶隙透明半導(dǎo)體材料,其直接帶隙在3. 55 3. 75eV范圍內(nèi),具有良好的導(dǎo)電性和較高的透光率。由于其獨(dú)特的電學(xué)、化學(xué)和光學(xué)性質(zhì),In2O3在化學(xué)、生物傳感、太陽(yáng)能電池、光催化、執(zhí)行器、光電子和平板顯示等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用空間。近來(lái),人們利用各種方法(溶液法,分子束外延,脈沖激光沉積,金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積等)...
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