技術(shù)編號：2005173
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于無機非金屬材料領(lǐng)域，特別涉及一種高熱導率氮化硅陶瓷材料及 其制備方法。 背景技術(shù)隨著以IGBT為代表的電力電子器件功率的不斷提高，散熱己經(jīng)成為制約其 進一步發(fā)展的因素。陶瓷電路基板作為電子器件的載體，直接和半導體芯片接觸， 提高其熱導率或者減少封裝材料的厚度是解決電子器件散熱問題的前提條件，而 采用高熱導率高強度陶瓷材料是其關(guān)鍵。此外，隨著能源問題和環(huán)境問題日益突 出，各種使用電力的交通工具如電動汽車、混合動力汽車、燃料電池汽車應運而 生，需要使...
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