技術(shù)編號：2001870
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，屬無機(jī)非金屬材料科學(xué)領(lǐng)域。AlN陶瓷具有密度低，導(dǎo)熱率高，電絕緣性好，比模量大，熱膨脹系數(shù)小，抗熱震性高等優(yōu)良的綜合性能，在集成電路基板、散熱片和半導(dǎo)體封裝等領(lǐng)域具有十分廣闊的應(yīng)用前景。傳統(tǒng)的制備AlN的方法很多，其中最典型的有金屬鋁直接氮化法和氧化物高溫碳熱還原法。直接氮化法對原料純度要求高，導(dǎo)致成本高，而且反應(yīng)不完全，需要二次氮化。碳熱還原法存在生產(chǎn)周期長、能耗大、效率低、工藝較繁瑣、成本高的缺點(diǎn)。可以說目前還沒有一種能夠制備出質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的氮...
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