技術(shù)編號(hào):1969492
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及LED制備,尤其涉及一種藍(lán)寶石襯底LED芯片的切割方法。 背景技術(shù)發(fā)光二極管(LED,Light Emitting Diode)是響應(yīng)電流而被激發(fā),從而產(chǎn)生各種 顏色的光的半導(dǎo)體器件。其中,以氮化鎵(GaN)為代表的III-V族化合物半導(dǎo)體由于具有 帶隙寬、發(fā)光效率高、電子飽和漂移速度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)而在高亮度藍(lán)光發(fā)光二極 管、藍(lán)光激光器等光電子器件領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力,引起了人們的廣泛關(guān)注。藍(lán)光LED芯片通常是在藍(lán)寶石襯底上采用氣相沉積...
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