技術(shù)編號(hào)：1937032
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有銅、鎵和鋅的氧化物混合物的濺射靶，以及該濺射靶的制備方法。 背景技術(shù)液晶顯示器(IXD)在電子行業(yè)中一直都是不可或缺的，并且有源矩陣顯示器特別享有盛譽(yù)。為了進(jìn)行控制，上述有源矩陣顯示器含有薄膜晶體管(TFT)的矩陣，而制造該薄膜晶體管則需要制備有源半導(dǎo)體薄層。非晶硅通常在此用作半導(dǎo)體材料。然而，非晶硅層的特征是具有相對(duì)較低的載流子遷移率。因此，人們一直持續(xù)地尋求改善的半導(dǎo)體材料。特別是，得自氧化物半導(dǎo)體類的材料已經(jīng)證明是非晶硅的高潛カ替代物。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。