技術(shù)編號(hào):1916422
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了,其包括提供一基底;在基底上控制形成厚度均勻的碳源層;加熱碳源層,使碳源層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而轉(zhuǎn)變?yōu)槭┍∧?。這樣,通過(guò)精確控制碳源層的均勻性和厚度,可以精確控制石墨烯薄膜均勻性和厚度;同時(shí),本發(fā)明的石墨烯的制備方法可以得到高質(zhì)量的石墨烯薄膜,其能夠與現(xiàn)有的CMOS工藝相兼容,適于大規(guī)模生產(chǎn)。專利說(shuō)明 [0001]本發(fā)明涉及集成電路,具體涉及。 背景技術(shù) [0002]作為一種新型多功能材料,石墨烯具有諸多優(yōu)異特性,如超高的載流子迀移率、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。