技術編號：1847669
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及先進陶瓷材料領域，具體涉及一種ltlB 二硼化鋯及其制備方法。 背景技術10B 二硼化鋯具有高熔點、高硬度、高導熱率、導電性好等優(yōu)點，10B 二硼化鋯中的、 具有較高的中子俘獲截面，俘獲能譜寬，吸收中子后不產(chǎn)生放射性同位素，二次射線能量低 的特性，應用在核反應堆中作為可燃毒物。用此作原料，制成的濺射靶件，用作反應堆內(nèi)部 組件。硼有兩種天然同位素，即為ltlB和"B。在自然界天然硼礦物中，ltlB的豐度為19.6% (at.原子，下同)，其余為"B...
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