技術(shù)編號：1846329
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種石英坩堝及制造該石英坩堝的方法。 背景技術(shù)在根據(jù)提拉(Cz，Czochralski)法的單晶生長工藝中，將籽晶浸在容納于石英坩堝中的硅熔體中，然后旋轉(zhuǎn)籽晶繩(seed cable)，緩慢向上移動以通過固液界面生長出單晶,定。用于進(jìn)行提拉法的單晶生長裝置通常包括石英坩堝、包圍并支撐石英坩堝的坩堝支座、設(shè)置在坩堝支座外側(cè)向石英坩堝提供輻射熱量的加熱器、設(shè)置在生長的單晶錠和石英坩堝之間以包圍單晶錠并阻止熱流從硅熔體向上排出的隔熱罩、以及支撐坩堝支座...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。