技術編號：1837691
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種鐵電材料，特別涉及一種高性能La、V共摻SrBi4Ti4O15鐵電薄膜。背景技術 鐵電材料以其非易失性、開關速度快、存儲密度高等優(yōu)點，在存儲器、邏輯器件等方面具有良好的應用前景。用作非易失性鐵電存儲器(NvFRAM)的材料，要求有大剩余極化(2Pr)、較小的矯頑場、優(yōu)良的抗疲勞性能、制備溫度與現(xiàn)有的半導體工藝兼容、無污染等。在本發(fā)明之前，現(xiàn)在鐵電材料都存在著一定的缺陷和問題，如Pb(Ti，Zr)O3的抗疲勞性能差，并且制備過程中有污染，SrB...
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