技術(shù)編號(hào)：1805637
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及核心層基本不含羥基基團(tuán)的光纖預(yù)制體的制作方法，其是通過(guò)采用改 進(jìn)的化學(xué)氣相沉積法(MCVD)來(lái)完成的。背景技術(shù)傳統(tǒng)的MCVD方法，將一石英管放置在車床上，然后一面旋轉(zhuǎn)石英管一面將反應(yīng)氣 體與氧氣一起流入石英管，從而形成Si04、GeC14、和P°C 13等粉塵。同時(shí)，噴燈在管外沿著 管的軸線方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)，從而提供高于1600°C的溫度，使得流過(guò)管的氣體充分反應(yīng)。然而， 在傳統(tǒng)的MCVD方法中，當(dāng)形成多個(gè)包覆層和核心層之后，則產(chǎn)生了其中摻有雜質(zhì)成分...
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