技術(shù)編號：1802310
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，屬于陶瓷制備。 背景技術(shù)氮化硅涂層石英坩堝一般在燒制后的石英坩堝內(nèi)表面采用直接氮化法、等離子體 增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)和低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)法制備氮化硅涂層，制備工藝復(fù) 雜，生產(chǎn)成本高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種，降低生產(chǎn)成本，提 高涂層結(jié)合強(qiáng)度，拓寬工作溫度范圍。本發(fā)明所述的，包括陶瓷漿料制備、涂覆涂層、干 燥和燒成，將粒度為0. 01-3 μ m的單晶硅硅粉體和粒度為0. 01-3 μ m 二氧化硅粉體混合形 成...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。