技術(shù)編號(hào)：1707772
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種靜電放電保護(hù)系統(tǒng)，尤其涉及基于同一襯底上的裝置間靜電釋放 系統(tǒng)。背景技術(shù)隨著集成電路制造工藝水平進(jìn)入線寬的深亞微米時(shí)代，集成電路中的MOS元件都 采用淺摻雜LDD (Lightly Doped Drain)結(jié)構(gòu)，并且硅化物工藝已廣泛應(yīng)用于MOS元件的擴(kuò) 散層上。同時(shí)為了降低柵極多晶的擴(kuò)散串聯(lián)電阻，采用了多晶化合物的制造工藝。隨著集 成電路元件的縮小，MOS元件的柵極氧化層厚度越來越薄，這些制造工藝的改進(jìn)可大幅度提 高集成電路內(nèi)部的運(yùn)算速度，并...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。