技術(shù)編號：1495127
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在加工諸如硅的半導(dǎo)體晶片步驟中進行的清潔方法。背景技術(shù)用于半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體晶片(基材)是通過將錠塊(ingot block)加工成似 鏡面的薄板而生產(chǎn)，其中所述錠塊通過Czochralski方法或浮動區(qū)法而生長。在其加工步 驟中，主要進行(1)將錠塊切為晶片的切片步驟，(2)使所切晶片的外周部分傾斜的傾斜步 驟，(3)通過使用研磨或表面磨光而將傾斜的晶片弄平的平面化步驟，(4)去除平面化的晶 片中出現(xiàn)的加工變形的刻蝕步驟，(5)將各刻蝕晶片的...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。