技術(shù)編號(hào)：1494952
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉 半導(dǎo)體，尤其涉及一種。 背景技術(shù)在光刻制程中，由于曝光機(jī)的光源對(duì)結(jié)晶的產(chǎn)生也起了催化劑的作用，光源波長(zhǎng) 越短結(jié)晶產(chǎn)生越快，所以通常在光罩(Mask)使用2-5個(gè)月后產(chǎn)生結(jié)晶缺陷，這些結(jié)晶缺陷 會(huì)影響光罩的穿透率從而造成晶片上重復(fù)性的缺陷，會(huì)降低產(chǎn)品的良率，而且，光罩在使用 的過程中，還可能存在其它的各種污染物離子，所以清洗光罩是光刻制程中很重要的一個(gè) 工藝步驟。對(duì)于光罩的清洗，尤其是對(duì)于在較短波長(zhǎng)條件下曝光使用的光罩，一般不能在清 洗過程中使用含...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。