技術編號：1420101
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路工藝，具體涉及一種。背景技術伴隨集成電路制造工藝的不斷進步，半導體器件的體積正變得越來越小，這也導致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導體器件的制造和性能，所以，硅片清洗工藝也變得越來越重要。在所有的清洗步驟中，由于注入或刻蝕工藝使光刻膠表面形成一層被碳化的硬殼，很難通過常規(guī)的濕法清洗方式進行去除，因此去除刻蝕或者大劑量離子注入后的光刻膠剝離是最為困難的一個步驟。常用的方法是先使用氧等離子體對光刻膠進行處理，再使用濕法清洗工藝去除殘余光刻膠...
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