技術(shù)編號(hào)：1420072
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種用于等離子體刻蝕的。背景技術(shù)近年來，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，很多制程中涉及等離子刻蝕，例如TSV (Through Silicon Via)的形成中涉及硅的等離子體刻蝕，金屬互連線的形成過程中涉及金屬的等離子體刻蝕，晶體管中柵極的形成涉及介電層的刻蝕。上述制程一般是在等離子腔室內(nèi)進(jìn)行的，該腔室內(nèi)設(shè)置有多種工件，例如聚焦環(huán)、噴淋頭等。以噴淋頭為例，現(xiàn)有的噴淋頭其基體一般為鋁，但是鋁容易在等離子環(huán)境下被腐蝕，導(dǎo)致該噴淋頭的壽命不...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。