技術(shù)編號(hào)：1413131
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于在半導(dǎo)體晶片等被處理體的表面使用原料氣體進(jìn)行成膜的成膜裝置、在其中所使用的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)和從排氣氣體或處理容器內(nèi)的結(jié)構(gòu)部件回收原料的原料回收方法。背景技術(shù)一般而言，為了形成IC等集成電路和邏輯元件，在半導(dǎo)體晶片和LCD基板等的表面重復(fù)進(jìn)行實(shí)施所需的薄成膜的工序和將其蝕刻為所需的圖案的工序。但是，以使用成膜裝置進(jìn)行的成膜工序?yàn)槔?，在該工序中，通過在處理容器內(nèi)使規(guī)定的處理氣體(原料氣體)反應(yīng)，在被處理體的表面形成硅的薄膜、硅的氧化物或氮化物的薄膜、金...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。