技術(shù)編號(hào)：1406
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種自熔融液的提拉法的單晶生長技術(shù)。直拉硅單晶是制造集成電路等半導(dǎo)體器件的最基本的材料。在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)工藝過程中，常用的硅單晶制作的硅片經(jīng)過氧化、擴(kuò)散等一系列高溫?zé)崽幚砉に嚭螅菀桩a(chǎn)生翹曲和碎裂，影響半導(dǎo)體器件的成品率。采用摻氮的硅單晶所制造的半導(dǎo)體器件具有良好的性能和較高的成品率。Semiconductor Silicon 1981 PP54報(bào)導(dǎo)了日本信越公司阿部等人提出的在區(qū)熔硅單晶中摻入氮以后，由于氮在硅晶格中起著阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的作用，從而提高了硅片的機(jī)械強(qiáng)度。Elevctroc...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。